Chemical and electronic structure of SiO2/Si interfacial transition layer

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【JAXA Repository リニューアルのお知らせ】

JAXA Repositoryは2020年4月10日より、JAIRO Cloudへ移行いたしました。

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インデックス

Permalink : http://id.nii.ac.jp/1696/00025300/

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
著者	服部健雄高橋健介野平博司廣瀬和之鎌倉望高田恭孝辛埴小林啓介
著者（英）	Hattori T. Takahashi K. Seman M. B. Nohira H. Hirose Kazuyuki Kamakura N. Takata T. Shin S. Kobayashi K.
著者所属	武蔵工業大学武蔵工業大学武蔵工業大学武蔵工業大学宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部（JAXA) (ISAS) 理化学研究所/Sping-8 理化学研究所/Sping-8 理化学研究所/SPring-8 : 東京大学高輝度光科学研究センター
著者所属（英）	Musashi Institute of Technology Musashi Institute of Technology Musashi Institute of Technology Musashi Institute of Technology Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) RIKEN/Sping-8 RIKEN/Sping-8 RIKEN/Sping-8 : Institute for Solid State Physics, University of Tokyo Japan Synchrotron Radiation Research Institute
出版者（英）	Elsevier
雑誌名	Applied Surface Science
巻	212-213
ページ	547 - 555
発行年	2003-05
ISSN	0169-4332
書誌レコードID	AA10503400
DOI	info:doi/10.1016/S0169-4332(03)00054-0
資料番号	資料番号: SA1002008000

★2020年12月2日

システムメンテナンスのお知らせ

12月10日（木）15:00-18:00の作業時間中、1～1時間半程度、サイトを閉鎖させていただきます。ご利用の皆様にはご迷惑をおかけいたしますが、よろしくお願いします。

★2020年4月10日
【JAXA Repository リニューアルのお知らせ】
JAXA Repositoryは2020年4月10日より、JAIRO Cloudへ移行いたしました。

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