Uniaxial and biaxial strain field dependence of the thermal oxidation rate of silicon

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【JAXA Repository リニューアルのお知らせ】

JAXA Repositoryは2020年4月10日より、JAIRO Cloudへ移行いたしました。

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Permalink : http://id.nii.ac.jp/1696/00025322/

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
著者	乃万裕一高橋宏行藤岡洋尾嶋正治馬場祐治廣瀬和之丹羽正昭臼田宏治平下紀夫
著者（英）	Noma Hirokazu Takahashi Hiroyuki Fujioka Hiroshi Oshima Masahara Baba Yuji Hirose Kazuyuki Niwa Masaaki Usuda Koji Hirashita Norio
著者所属	東京大学東京大学東京大学東京大学日本原子力研究開発機構宇宙科学研究所半導体理工学研究センター半導体理工学研究センター半導体理工学研究センター
著者所属（英）	Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo Japan Atomic Energy Research Institute Institute of Space and Astronautical Science (ISAS) Semiconductor Technology Academic Research Center Semiconductor Technology Academic Research Center Semiconductor Technology Academic Research Center
出版者（英）	American Institute of Physics
雑誌名	Journal of Applied Physics
巻	90
号	10
ページ	5434 - 5437
発行年	2001-11
内容記述（英）	Accepted: 2001-08-30
ISSN	0021-8979
書誌レコードID	AA00693547
DOI	info:doi/10.1063/1.1413229
資料番号	資料番号: SA1002030000

★2020年4月10日

【JAXA Repository リニューアルのお知らせ】
JAXA Repositoryは2020年4月10日より、JAIRO Cloudへ移行いたしました。

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なお、AIREXは以前と同じURLにて公開しております。

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