Valence charges for ultrathin SiO2 films formed on Si(100)

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【JAXA Repository リニューアルのお知らせ】

JAXA Repositoryは2020年4月10日より、JAIRO Cloudへ移行いたしました。

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Permalink : http://id.nii.ac.jp/1696/00025337/

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
著者	廣瀬和之木原正道岡本英介野平博司池永英司高田恭孝小林啓介服部健雄
著者（英）	Hirose Kazuyuki Kihara M. Okamoto H. Nohira H. Ikenaga E. Takata Y. Kobayashi K. Hattori T.
著者所属	宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部（JAXA) (ISAS) 武蔵工業大学武蔵工業大学武蔵工業大学高輝度光科学研究センター/SPring-8 理化学研究所/SRring-8 高輝度光科学研究センター/SPring-8 武蔵工業大学
著者所属（英）	Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Musashi Institute of Technology Musashi Institute of Technology Musashi Institute of Technology JASRI/SPring-8 RIKEN/SRring-8 JASRI/SPring-8 Musashi Institute of Technology
出版者（英）	EDP Sciences
雑誌名	Journal de Physique. IV
巻	132
ページ	83 - 86
発行年	2006-03
ISSN	1155-4339
書誌レコードID	AA10803459
DOI	info:doi/10.1051/jp4:2006132016
資料番号	資料番号: SA1002045000

★2020年12月2日

システムメンテナンスのお知らせ

12月10日（木）15:00-18:00の作業時間中、1～1時間半程度、サイトを閉鎖させていただきます。ご利用の皆様にはご迷惑をおかけいたしますが、よろしくお願いします。

★2020年4月10日
【JAXA Repository リニューアルのお知らせ】
JAXA Repositoryは2020年4月10日より、JAIRO Cloudへ移行いたしました。

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