Microscopy and Electrical Properties of Ge/Ge Interfaces Bonded by Surface-Activated Wafer Bonding Technology

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【JAXA Repository リニューアルのお知らせ】

JAXA Repositoryは2020年4月10日より、JAIRO Cloudへ移行いたしました。

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Permalink : http://id.nii.ac.jp/1696/00026002/

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
著者	渡辺健太郎和田健介金田英宏 Ide Kensuke Kato Masahiro 和田武彦
著者（英）	Watanabe Kentaroh Wada Kensuke Kaneda Hidehiro Ide Kensuke Kato Masahiro Wada Takehiko
著者所属	東京大学宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所（JAXA)(ISAS) 名古屋大学三菱重工業三菱重工業宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所（JAXA)(ISAS)
著者所属（英）	Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Graduate School of Science, Nagoya University Engineering Department, Machine Tool Division, Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Electronic Equipment and Device Design Section, Department of Space and Integrated Defense Systems, Nagoya Guidance and Propulsion Systems Works, Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS)
出版者（英）	The Japan Society of Applied Physics
雑誌名	Japanese Journal of Applied Physics
巻	50
号	1
ページ	015701-1 - 015701-5
発行年	2011
内容記述（英）	Accepted: 2010-09-03
ISSN	0021-4922
書誌レコードID	AA00690800
DOI	info:doi/10.1143/JJAP.50.015701
資料番号	資料番号: SA1002710000

★2020年12月2日

システムメンテナンスのお知らせ

12月10日（木）15:00-18:00の作業時間中、1～1時間半程度、サイトを閉鎖させていただきます。ご利用の皆様にはご迷惑をおかけいたしますが、よろしくお願いします。

★2020年4月10日
【JAXA Repository リニューアルのお知らせ】
JAXA Repositoryは2020年4月10日より、JAIRO Cloudへ移行いたしました。

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