Estimation of Breakdown Electric-Field Strength While Reflecting Local Structures of SiO2 Gate Dielectrics Using First-Principles Molecular Orbital Calculation Technique

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Permalink : http://id.nii.ac.jp/1696/00026931/

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
著者	関洋渋谷寧浩小林大輔野平博司泰岡顕治廣瀬和之
著者（英）	Seki Hiroshi Shibuya Yasuhiro Kobayashi Daisuke Nohira Hiroshi Yasuoka Kenji Hirose Kazuyuki
著者所属	慶應義塾大学東京都市大学宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所（JAXA)(ISAS) 東京都市大学慶應義塾大学宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所（JAXA)(ISAS)
著者所属（英）	School of Science for Open and Environmental System, Graduate School of Science and Technology, Keio University Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo City University Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency （JAXA)(ISAS) Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo City University School of Science for Open and Environmental System, Graduate School of Science and Technology, Keio University Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency （JAXA)(ISAS)
出版者（英）	The Japan Society of Applied Physics
雑誌名	Japanese Journal of Applied Physics
巻	51
号	4
発行年	2012-04
文献番号	04DA07
内容記述（英）	Accepted: 2011-12-02
ISSN	0021-4922
書誌レコードID	AA12295836
DOI	info:doi/10.1143/JJAP.51.04DA07
資料番号	資料番号: SA1003639000

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