Thermal Properties of Molten InSb, GaSb, and InxGa1-xSb Alloy Semiconductor Materials in Preparation for Crystal Growth Experiments on the International Space Station

doi:http://dx.doi.org/10.1016/j.asr.2013.12.002

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学術雑誌論文 (Journal Article)

Permalink : http://id.nii.ac.jp/1696/00027802/

Thermal Properties of Molten InSb, GaSb, and InxGa1-xSb Alloy Semiconductor Materials in Preparation for Crystal Growth Experiments on the International Space Station 利用統計を見る

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
キーワード	Viscosity, Wetting property, Evaporation rate, Indium gallium antimonide, Gallium antimonide, Indium antimonide
著者	阪田薫穂向井碧 Rajesh Govindasamy Arivanandhan Mukannan 稲富裕光石川毅彦早川泰弘
著者（英）	Sakata Kaoruho Mukai Midori Rajesh Govindasamy Arivanandhan Mukannan Inatomi Yuko Ishikawa Takehiko Hayakawa Yasuhiro
著者所属	宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所（JAXA)(ISAS) 株式会社エイ・イー・エス静岡大学静岡大学宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所（JAXA)(ISAS) 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所（JAXA)(ISAS) 静岡大学
著者所属（英）	Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Advanced Engineering Services Co. Ltd. Research Institute of Electronics, Shizuoka University Research Institute of Electronics, Shizuoka University Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Research Institute of Electronics, Shizuoka University
出版者（英）	Committee on Space Research (COSPAR)
雑誌名	Advances in Space Research
巻	53
号	4
ページ	689 - 695
発行年	2014-02-15
内容記述（英）	Accepted: 2013-12-01
ISSN	0273-1177
書誌レコードID	AA10636539
DOI	info:doi/10.1016/j.asr.2013.12.002
資料番号	資料番号: SA1004513000

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