Crystal Growth of Ternary Alloy Semiconductor and Preliminary Study for Microgravity Experiment at the International Space Station

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【JAXA Repository リニューアルのお知らせ】

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Permalink : http://id.nii.ac.jp/1696/00028235/

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
キーワード	Alloy Semiconductor, Crystal Growth, InGaSb, Thermal Property
著者	阪田薫穂向井碧 Arivanandhan Mukannan Rajesh Govindasamy 石川毅彦稲富裕光早川泰弘
著者（英）	Sakata Kaoruho Mukai Midori Arivanandhan Mukannan Rajesh Govindasamy Ishikawa Takehiko Inatomi Yuko Hayakawa Yasuhiro
著者所属	宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所（JAXA)(ISAS) エー・イー・エス静岡大学静岡大学宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所（JAXA)(ISAS) 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所（JAXA)(ISAS) 静岡大学
著者所属（英）	Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) AES Co.,Ltd. Research Institute of Electronics, Shizuoka University Research Institute of Electronics, Shizuoka University Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Research Institute of Electronics, Shizuoka University
出版者	日本航空宇宙学会
出版者（英）	The Japan Society of Aeronautical and Space Sciences
雑誌名	Transactions of the Japan Society for Aeronautical and Space Sciences, Aerospace Technology Japan
巻	12
号	ists29
ページ	Ph_31 - Ph_35
発行年	2014
ISSN	1884-0485
DOI	info:doi/10.2322/tastj.12.Ph_31
資料番号	資料番号: SA1004949000

★2020年12月2日

システムメンテナンスのお知らせ

12月10日（木）15:00-18:00の作業時間中、1～1時間半程度、サイトを閉鎖させていただきます。ご利用の皆様にはご迷惑をおかけいたしますが、よろしくお願いします。

★2020年4月10日
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