静岡大学 電子工学研究所
静岡大学 電子工学研究所 : 静岡大学工学部
静岡大学 電子工学研究所
静岡大学 電子工学研究所
静岡大学 電子工学研究所 : 静岡大学工学部
静岡大学工学部
Bhaha Atomic Research Center
Bhaha Atomic Research Center
大阪大学大学院
静岡理工科大学
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS)
Crystal Growth Centre, Anna University
静岡大学 電子工学研究所 : 静岡大学工学部
著者所属（英）
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
Research Institute of Electronics, Shizuoka University : Faculty of Engineering, Shizuoka University
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
Research Institute of Electronics, Shizuoka University : Faculty of Engineering, Shizuoka University
Faculty of Engineering, Shizuoka University
Bhaha Atomic Research Center
Bhaha Atomic Research Center
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
Shizuoka Institute of Science and Technology
Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency(JAXA)(ISAS)
Crystal Growth Centre, Anna University
Research Institute of Electronics, Shizuoka University : Faculty of Engineering, Shizuoka University
High Power Factor of Ga-Doped Compositionally Homogeneous Si0.68Ge0.32 Bulk Crystal Grown by the Vertical Temperature Gradient Freezing Method
