Microwave wireless power transfer experiment using GaN and Si hybrid semiconductor integrated rectifier

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【JAXA Repository リニューアルのお知らせ】

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Permalink : http://id.nii.ac.jp/1696/00046094/

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
キーワード	wireless power transfer, gallium nitride (GaN), silicon (Si), rectifier, Schottky barrier diode, integrated circuit
著者	岸川諒子川﨑繁男
著者（英）	Kishikawa Ryoko Kawasaki Shigeo
著者所属	総合研究大学院大学 : 産業技術総合研究所総合研究大学院大学 : 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS)
著者所属（英）	The Graduate University for Advanced Studies (Soukendai) : National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST) The Graduate University for Advanced Studies (Soukendai) : Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency(JAXA)(ISAS)
出版者	電気学会
出版者（英）	The Institute of Electrical Engineers of Japan (IEEJ)
雑誌名	IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering
巻	14
号	10
ページ	1494 - 1499
発行年	2019-10
ISSN	1931-4973
ISSNONLINE	1931-4981
書誌レコードID	AA12144998
DOI	info:doi/10.1002/tee.22968
資料番号	資料番号: SA1190069000

★2020年4月10日

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