WEKO3
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電子線照射発光活性化法による極薄SOI層中軽元素不純物の評価
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Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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公開日 | 2015-03-26 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 電子線照射発光活性化法による極薄SOI層中軽元素不純物の評価 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
資源タイプ | thesis | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
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その他のタイトル(英) | ||||||
その他のタイトル | Evaluation of Light Element Impurities in Ultrathin SOI Wafers by Luminescence Activation Using Electron Irradiation | |||||
著者 |
中川, 聰子
× 中川, 聰子× Nakagawa, Satoko |
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著者所属 | ||||||
総合研究大学院大学, 物理科学研究科, 宇宙科学専攻 | ||||||
著者所属(英) | ||||||
en | ||||||
The Graduate University for Advanced Studies, School of Physical Sciences, Space and Astronautical Science | ||||||
出版者 | ||||||
出版者 | 総合研究大学院大学(SOKENDAI) | |||||
出版者(英) | ||||||
出版者 | The Graduate University for Advanced Studies(SOKENDAI) | |||||
書誌情報 | p. 1-106, 発行日 2008-03-19 | |||||
関係URI | ||||||
識別子タイプ | URI | |||||
関連識別子 | http://id.nii.ac.jp/1013/00000556/ | |||||
関連名称 | http://id.nii.ac.jp/1013/00000556/ | |||||
内容記述 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 博士(工学) 総研大甲第1134号 | |||||
資料番号 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 資料番号: SA8000014000 |