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Detailed results of this period: Growth of homogeneous Si(0.5)Ge(0.5) single crystals by the Traveling Liquidus-Zone Method

今期の詳細な結果:Traveling Liquidus-Zone法による均一なSi(0.5)Ge(0.5)単結晶の成長
宮田浩旭 , 緒方康行 , 木下恭一 , 足立聡 , 依田真一 , 鶴哲也 , 村松祐治
Miyata Hiroaki , Ogata Yasuyuki , Kinoshita Kyoichi , Adachi Satoshi , Yoda Shinichi , Tsuru Tetsuya , Muramatsu Yuji
宇宙航空研究開発機構研究開発報告/JAXA Research and Development Report: Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs): Growth of Homogeneous Crystals,JAXA-RR-04-022E,7-13 (2005-03-31) , 資料番号: AA0048451001 , レポート番号: JAXA-RR-04-022E

In(0.3)Ga(0.7)As plate crystals grown by the Traveling Liquidus-Zone (TLZ) method

Traveling Liquidus-Zone法による板状のIn(0.3)Ga(0.7)As結晶成長
木下恭一 , 緒方康行 , 足立聡 , 越川尚清 , 鶴哲也 , 宮田浩旭 , 村松祐治 , 依田真一
Kinoshita Kyoichi , Ogata Yasuyuki , Adachi Satoshi , Koshikawa Naokiyo , Tsuru Tetsuya , Miyata Hiroaki , Muramatsu Yuji , Yoda Shinichi
宇宙航空研究開発機構研究開発報告/JAXA Research and Development Report: Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs): Growth of Homogeneous Crystals,JAXA-RR-04-022E,14-20 (2005-03-31) , 資料番号: AA0048451002 , レポート番号: JAXA-RR-04-022E

Growth of In(0.1)Ga(0.9)As single crystal plates and fabrication of In(x)Ga(1-x)As/In(0.1)Ga(0.9)As-Starained Quantum Wells (SQW)

鶴哲也 , 宮田浩旭 , 村松祐治 , 緒方康行 , 木下恭一 , 足立聡 , 依田眞一 , 荒井昌和 , 渡辺孝夫 , 近藤康洋
Tsuru Tetsuya , Miyata Hiroaki , Muramatsu Yuji , Ogata Yasuyuki , Kinoshita Kyoichi , Adachi Satoshi , Yoda Shinichi , Arai Masakazu , Watanabe Takao , Kondo Yasuhiro
宇宙航空研究開発機構特別資料/JAXA Special Publication: Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs): Growth of Homogeneous Crystals,JAXA-SP-05-036E,1-6 (2006-03-31) , 資料番号: AA0049798001 , レポート番号: JAXA-SP-05-036E

Scaling up of TLZ-grown platy In(0.3)Ga(0.7)As crystals for semiconductor laser substrates

木下恭一 , 緒方康行 , 足立聡 , 鶴哲也 , 宮田浩旭 , 村松祐治 , 依田眞一
Kinoshita Kyoichi , Ogata Yasuyuki , Adachi Satoshi , Tsuru Tetsuya , Miyata Hiroaki , Muramatsu Yuji , Yoda Shinichi
宇宙航空研究開発機構特別資料/JAXA Special Publication: Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs): Growth of Homogeneous Crystals,JAXA-SP-05-036E,7-12 (2006-03-31) , 資料番号: AA0049798002 , レポート番号: JAXA-SP-05-036E

Investigation on polycrystallization mechanism at initial interfaces in In(x)Ga(1-x)As (x is approximately 0.3) bulk crystals on lattice mismatched seeds

宮田浩旭 , 緒方康行 , 足立聡 , 鶴哲也 , 村松祐治 , 木下恭一 , 小田原修 , 依田眞一
Miyata Hiroaki , Ogata Yasuyuki , Adachi Satoshi , Tsuru Tetsuya , Muramatsu Yuji , Kinoshita Kyoichi , Odawara Osamu , Yoda Shinichi
宇宙航空研究開発機構特別資料/JAXA Special Publication: Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs): Growth of Homogeneous Crystals,JAXA-SP-05-036E,13-20 (2006-03-31) , 資料番号: AA0049798003 , レポート番号: JAXA-SP-05-036E

TLZ法によるIn(0.3)Ga(0.7)As基板用結晶作製

Preparation of In(0.3)Ga(0.7)As substrates by the TLZ method
木下恭一 , 緒方康行 , 足立聡 , 鶴哲也 , 宮田浩旭 , 村松祐治 , 依田眞一
Kinoshita Kyoichi , Ogata Yasuyuki , Adachi Satoshi , Tsuru Tetsuya , Miyata Hiroaki , Muramatsu Yuji , Yoda Shinichi
宇宙利用シンポジウム　第21回　平成16年度/Space Utilization Research: Proceedings of the Twenty-first Space Utilization Symposium,84-86 (2005-03) , 資料番号: AA0048095020

TLZ法によるIn(0.3)Ga(0.7)As均一組成単結晶育成条件の詳細検討

Growth conditions for homogeneous In(0.3)Ga(0.7)As single crystals by the TLZ method
木下恭一 , 緒方康行 , 足立聡 , 越川尚清 , 鶴哲也 , 宮田浩旭 , 村松祐治
Kinoshita Kyoichi , Ogata Yasuyuki , Adachi Satoshi , Koshikawa Naokiyo , Tsuru Tetsuya , Miyata Hiroaki , Muramatsu Yuji
宇宙利用シンポジウム　第20回　平成15年度/Space Utilization Research: Proceedings of the Twentieth Space Utilization Symposium,231-234 (2004-03) , 資料番号: AA0046917072

岩石等構造材料の衝撃破壊現象の解明と適用

Evaluation and application of impact rupture phenomenon of structural materials such as rock and concrete
緒方雄二
Ogata Yuji
平成30年度衝撃波シンポジウム講演論文集/Proceedings of the Symposium on Shock Waves in Japan, FY2018, (2019-03) , 平成30年度衝撃波シンポジウム (2019年3月5日-7日. 横浜国立大学経済・経営学部講義棟1号館）横浜市, 神奈川県 , Symposium on Shock Waves in Japan, FY2018 (March 5-7, 2019. Yokohama National University), Yokohama, Kanagawa , 資料番号: SA6000134002 , レポート番号: 特別講演会ⅡSP2

衝撃荷重による岩石材料の動的一軸引張強度とひずみ速度分布

Tensile Strength and Strain Rate Distribution of Rock Material Subject to Shock Loading
佐分利禎 , 緒方雄二 , 久保田士郎
Saburi Tei , Ogata Yuji , Kubota Shiro
平成30年度衝撃波シンポジウム講演論文集/Proceedings of the Symposium on Shock Waves in Japan, FY2018, (2019-03) , 平成30年度衝撃波シンポジウム (2019年3月5日-7日. 横浜国立大学経済・経営学部講義棟1号館）横浜市, 神奈川県 , Symposium on Shock Waves in Japan, FY2018 (March 5-7, 2019. Yokohama National University), Yokohama, Kanagawa , 資料番号: SA6000134108 , レポート番号: P-05

高エネルギー物質の定常爆轟シミュレーションに関する検討

Numerical Investigation of steady state detonation for high energetic material
久保田士郎 , 佐分利禎 , 和田有司 , 緒方雄二 , 永山邦仁
Kubota Shiro , Saburi Tei , Wada Yuji , Ogata Yuji , Nagayama Kunihito
平成27年度衝撃波シンポジウム講演論文集/Proceedings of the Symposium on Shock Waves in Japan, FY2015, (2016-03) , 平成27年度衝撃波シンポジウム (2016年3月7日-9日. 熊本大学　黒髪南地区）熊本市, 熊本県 , Symposium on Shock Waves in Japan, FY2015 (March 7-9, 2016. Kumamoto University), Kurokami Chuo-ku, Kumamoto, Japan , 資料番号: SA6000049102 , レポート番号: 3B2-3

Investigation of polycrystallization mechanism at initial interfaces in InxGa1-xAs bulk crystals on lattice mismatched seeds

宮田浩旭 , 足立聡 , 緒方康行 , 鶴哲也 , 村松祐治 , 木下恭一 , 小田原修 , 依田眞一
Miyata H. , Adachi Satoshi , Ogata Yasuyuki , Tsuru Tetsuya , Muramatsu Yuji , Kinoshita Kyoichi , Odawara Osamu , Yoda Shinichi
Journal of Crystal Growth,292(2),286-289 (2006-07) , 資料番号: SA1000511000

Inx Ga1-x As single crystal growth by dispersing local misfit stress

宮田浩旭 , 足立聡 , 緒方康行 , 鶴哲也 , 村松祐治 , 木下恭一 , 小田原修 , 依田眞一
Miyata Hiroaki , Adachi Satoshi , Ogata Yasuyuki , Tsuru Tetsuya , Muramatsu Yuji , Kinoshita Kyoichi , Odawara Osamu , Yoda Shinichi
Physica Status Solidi (a),203(11),2674-2679 (2006-09) , 資料番号: SA1000516000

Convection Effects on Crystallinity in the Growth of In0.3Ga0.7 as Crystals by the Traveling Liquidus Zone Method

木下恭一 , 緒方康行 , 足立聡 , 依田眞一 , 鶴哲也 , 宮田浩旭 , 村松祐治
Kinoshita Kyoichi , Ogata Yasuyuki , Adachi Satoshi , Yoda Shinichi , Tsuru Tetsuya , Miyata Hiroaki , Muramatsu Yuji
Annals of the New York Academy of Sciences,1077,161-171 (2006-09) , 資料番号: SA1000610000

Numerical Analysis of Growth Rates in the Traveling Liquidus-Zone Method

足立聡 , 緒方康行 , 越川尚清 , 松本聡 , 木下恭一 , 吉崎泉 , 高柳昌弘 , 依田眞一 , 門脇昭夫 , 鶴哲也 , 宮田浩旭 , 村松祐治
Adachi Satoshi , Ogata Yasuyuki , Koshikawa Naokiyo , Matsumoto Satoshi , Kinoshita Kyoichi , Yoshizaki Izumi , Takayanagi Masahiro , Yoda Shinichi , Kadowaki Akio , Tsuru Tetsuya , Miyata Hiroaki , Muramatsu Yuji
Journal of Crystal Growth,270(1-2),42-49 (2004-09-15) , 資料番号: SA1003599000

Improvement of Compositional Homogeneity in In1-xGaxAs Bulk Crystals Grown by the Travelling Liquidus-Zone Method

木下恭一 , 緒方康行 , 越川尚清 , 足立聡 , 依田眞一 , 岩井正行 , 鶴哲也 , 村松祐治
Kinoshita Kyoichi , Ogata Yasuyuki , Koshikawa Naokiyo , Adachi Satoshi , Yoda Shinichi , Iwai Masayuki , Tsuru Tetsuya , Muramatsu Yuji
International Journal of Materials and Product Technology,22(1-3),95-104 (2005) , 資料番号: SA1003601000

A New Crystal Growth Method for Growing Homogeneous Mixed Crystals of In0.3Ga0.7As: The Traveling Liquidus-Zone (TLZ) Method

木下恭一 , 緒方康行 , 足立聡 , 越川尚清 , 依田眞一 , 鶴哲也 , 宮田浩旭 , 村松祐治
Kinoshita Kyoichi , Ogata Yasuyuki , Adachi Satoshi , Koshikawa Naokiyo , Yoda Shinichi , Tsuru Tetsuya , Miyata Hiroaki , Muramatsu Yuji
Advances in the Astronautical Sciences,117,865-872 (2004) , 資料番号: SA1003602000

Verification of homogeneous In(x)Ga(1-x)As crystal growth by the TLZ (Traveling Liquidus-Zone) method

飽和溶融帯移動法(TLZ法)による均質なIn(x)Ga(1-x)As結晶成長の証明
鶴哲也 , 岩井正行 , 村松祐治 , 木下恭一 , 緒方康行 , 足立聡 , 越川尚清 , 依田真一
Tsuru Tetsuya , Iwai Masayuki , Muramatsu Yuji , Kinoshita Kyoichi , Ogata Yasuyuki , Adachi Satoshi , Koshikawa Naokiyo , Yoda Shinichi
宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成/NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals,11-18 (2003-08-29) , 資料番号: AA0046981001 , レポート番号: NASDA-TMR-030006E

Constitutional supercooling in the crystal growth of In(x)Ga(1-x)As

In(x)Ga(1-x)As結晶成長における組性過冷却
木下恭一 , 緒方康行 , 越川尚清 , 足立聡 , 岩井正行 , 鶴哲也 , 村松祐治 , 杉木喜洋 , 前川透 , 依田真一
Kinoshita Kyoichi , Ogata Yasuyuki , Koshikawa Naokiyo , Adachi Satoshi , Iwai Masayuki , Tsuru Tetsuya , Muramatsu Yuji , Sugiki Yoshihiro , Maekawa Toru , Yoda Shinichi
宇宙開発事業団技術報告: 化合物半導体研究アニュアルレポート2002:混晶半導体(InGaAs)の結晶育成に及ぼす微小重力の効果に関する研究.均一組成結晶の育成/NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals,19-26 (2003-08-29) , 資料番号: AA0046981002 , レポート番号: NASDA-TMR-030006E

衝撃荷重による材料の動的一軸引張強度評価に向けた破壊挙動解析

Fracture behavior analysis for dynamic uniaxial tensile strength by impact load
佐分利禎 , 高橋良尭 , 宮崎晋行 , 緒方雄二 , 久保田士郎
SABURI Tei , TAKAHASHI Yoshiaki , MIYAZAKI Kuniyuki , OGATA Yuji , KUBOTA Shiro
2019年度衝撃波シンポジウム講演論文集/Proceedings of the Symposium on Shock Waves in Japan, FY2019, (2020-03) , 2019年度衝撃波シンポジウム (2020年3月4日-6日. 神戸大学海事科学研究科（深江キャンパス)）神戸市, 兵庫県 , Symposium on Shock Waves in Japan, FY2019 (March 3-4, 2020. Kobe University), Kobe, Hyogo Japan , 資料番号: SA6000148012 , レポート番号: 1A3-2

高性能爆薬により発生する衝撃波の計測

Measurement of Shock Wave Induced by High Explosives
高橋良尭 , 久保田士郎 , 佐分利禎 , 緒方雄二
TAKAHASHI Yoshiaki , KUBOTA Shiro , SABURI Tei , OGATA Yuji
2019年度衝撃波シンポジウム講演論文集/Proceedings of the Symposium on Shock Waves in Japan, FY2019, (2020-03) , 2019年度衝撃波シンポジウム (2020年3月4日-6日. 神戸大学海事科学研究科（深江キャンパス)）神戸市, 兵庫県 , Symposium on Shock Waves in Japan, FY2019 (March 3-4, 2020. Kobe University), Kobe, Hyogo Japan , 資料番号: SA6000148044 , レポート番号: 1D1-3[若]

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