Comparison of Silicon-on-Insulator Wafer Mappings between Photoluminescence Intensity and Microwave Photoconductivity Decay Lifetime

Comparison of Silicon-on-Insulator Wafer Mappings between Photoluminescence Intensity and Microwave Photoconductivity Decay Lifetime 利用統計を見る

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
著者	田島道夫 Li Zhiqiang 住江伸吾橋爪英久小椋厚志
著者（英）	Tajima Michio Li Zhiqiang Sumie Shingo Hashizume Hidehisa Ogura Atsushi
著者所属	宇宙科学研究所 (ISAS) 宇宙科学研究所 (ISAS) コベルコ科研コベルコ科研 NECシリコンシステム研究所
著者所属（英）	Institute of Space and Astronautical Science (ISAS) Institute of Space and Astronautical Science (ISAS) Kobelco Research Institute Kobelco Research Institute Silicon System Research Labs., NEC Corp.
出版者（英）	Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
雑誌名	Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers & Short Notes.
巻	43
号	2
ページ	432 - 438
発行年	2004-02
内容記述（英）	Accepted: 2003-10-21
ISSN	0021-4922
書誌レコードID	AA10457675
DOI	info:doi/10.1143/jjap.43.432
資料番号	資料番号: SA1003805000