2026-03-10T05:58:55Z https://jaxa.repo.nii.ac.jp/oai

oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00002362 2023-06-20T19:52:13Z 1887:1893 9:10:309:345

Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs): Growth of homogeneous crystals 宇宙航空研究開発機構 Japan Aerospace Exploration Agency 結晶成長 飽和溶融帯移動法 シリコン化合物 砒素化合物 液相線 数値解析 半導体デバイス 微小重力 Si-Ge結晶 インジウムガリウム砒素 結晶成長モデル 温度勾配 材料バランス 流体力学 拡散係数 crystal growth traveling liquidus-zone method silicon compound arsenic compound liquidus numerical analysis semiconductor device microgravity Si-Ge crystal indium gallium arsenide crystal growth model temperature gradient material balance fluid dynamics diffusion coefficient 資料番号: AA0048451000 レポート番号: JAXA-RR-04-022E 宇宙航空研究開発機構 Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) 2005-03-31 eng technical report https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/2362 1349-1113 AA1192675X 宇宙航空研究開発機構研究開発報告 JAXA Research and Development Report JAXA-RR-04-022E https://jaxa.repo.nii.ac.jp/record/2362/files/48451000.pdf application/pdf 7.0 MB 2020-01-15