@inproceedings{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00012537,
 author = {金子, 聰 and 宮川, 宣明 and 曽根, 逸人 and 山崎, 弘祥 and 根本, 大 and 竹田, 敢 and 細川, 雄一朗 and 小野, 亜樹子 and 泰井, まどか and 長田, 英樹 and Kaneko, Tsutomu and Miyakawa, Nobuaki and Sone, Hayato and Yamazaki, Hiroyoshi and Nemoto, Dai and Takeda, Isamu and Hosokawa, Yuichiro and Ono, Akiko and Taii, Madoka and Osada, Hideki},
 book = {スペース・プラズマ研究会},
 month = {Jun},
 note = {平成20年度スペース・プラズマ研究会(2009年3月5日-6日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部), 著者人数: 11名, 資料番号: AA0064296001},
 pages = {1--4},
 publisher = {宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部, Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)},
 title = {プラズマCVDを中心とするSiC薄膜の成長: 300CでのSiC微結晶育成に向けて},
 volume = {平成20年度},
 year = {2009}
}