@inproceedings{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00017511,
 author = {塩見, 弘 and 北井, 秀憲 and 辻村, 理俊 and 木内, 祐治 and 福田, 憲司 and 坂本, 邦博 and 奥村, 元 and Shiomi, Hiroshi and Kitai, Hidenori and Sakamoto, Kunihiro and Okumura, Hajime},
 book = {第25回高温エレクトロニクス研究会, Proceedings of the 25th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS},
 month = {Jul},
 note = {第25回高温エレクトロニクス研究会（2015年3月17日. 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所 (JAXA)(ISAS)）, 相模原市, 神奈川県, 25th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS  (March 17, 2015. Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS)), Sagamihara, Kanagawa Japan, 資料番号: SA6000104003},
 pages = {18--23},
 publisher = {宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS), Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency(JAXA)(ISAS)},
 title = {高温エレクトロニクスにおけるSiCの課題解決に向けて -MOSFETの低チャンネル移動度と閾値シフトの要因を解明する取り組み-},
 year = {2015}
}