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アイテム
放射線が発光デバイス(LED・レーザ)に与える影響
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/17558
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/175586a2c0e8e-953f-4c21-a879-08961d116422
| アイテムタイプ | 会議発表論文 / Conference Paper(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2015-03-26 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 放射線が発光デバイス(LED・レーザ)に与える影響 | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | LED､半導体レーザ､プロトン照射､放射線耐性 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | LED, Semiconductor Lasers, Proton Irradiation, Radiation Hardness | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||||||
| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||||||
| その他のタイトル（英） | ||||||||||
| その他のタイトル | Radiation effects on light emitting diodes and semiconductor lasers | |||||||||
| 著者 |
権田, 俊一
× 権田, 俊一
× Gonda, Shunichi
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| 著者所属 | ||||||||||
| 福井工業大学 | ||||||||||
| 著者所属（英） | ||||||||||
| en | ||||||||||
| Fukui University of Technology | ||||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部 | |||||||||
| 出版者（英） | ||||||||||
| 出版者 | Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) | |||||||||
| 書誌情報 |
高温エレクトロニクス研究会 en : Proceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics 巻 19, 発行日 2009-06 |
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| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス) | |||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）（英） | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | The 19th ISAS research meeting on High Temperature Electronics (Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), March 12, 2009) | |||||||||
| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | 発光デバイス(LED･半導体レーザ)に放射線､特にプロトンを照射した場合の特性変化､回復効果について議論した。ともに電流-電圧特性は少し変化した｡LEDの光出力は､ある特定の照射量から減少し始める｡発光スペクトルは､どの波長でも一定の割合で強度が照射量とともに減少した｡半導体レーザでは発振閾値電流が照射量とともに増加した｡照射前の閾値電流で規格化した閾値電流は照射量に比例し､その比例係数K(損傷係数)は照射方向､レーザ材料､プロトンエネルギーなどに依存する｡発振波長はほとんど変化がなかった｡これらの現象は照射により非発光再結合中心が増加するとして説明できる｡順方向電流による回復現象がある｡ | |||||||||
| 抄録（英） | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | The effects of proton irradiation on the characteristics of LED and semiconductor lasers were discussed. In both devices small changes of Current-Voltage characteristics were observed. The light output of LED begins to decrease at a specific proton fluence. The spectra do not change in shape and the luminous intensity decreases. In semiconductor lasers the threshold currents increase with increasing proton fluence. Normalized threshold current is proportional to proton fluence. Proportional coefficient K (damage factor) is dependent on irradiation direction, laser materials and proton energy. These phenomena can be explained using the increase of nonradiative recombination centers made by irradiation. Anneal effects by the forward current were observed. | |||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA11987120 | |||||||||
| 資料番号 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 資料番号: AA0064294002 | |||||||||
