@inproceedings{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00017563,
 author = {小野田, 忍 and 岩本, 直也 and 児島, 一聡 and 河野, 勝泰 and 大島, 武 and Onoda, Shinobu and Iwamoto, Naoya and Kojima, Kazutoshi and Kawano, Katsuyasu and Oshima, Takeshi},
 book = {高温エレクトロニクス研究会, Proceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics},
 month = {Jun},
 note = {第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス), The 19th ISAS research meeting on High Temperature Electronics (Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), March 12, 2009), 原子力機構では､パワーデバイス･耐放射線性デバイスとしての利用が期待される炭化ケイ素(SiC; Silicon Carbide)半導体に対して､トータルドーズ効果､はじき出し損傷効果､およびシングルイベント効果といった放射線影響に関する研究を行っている｡今回は､はじき出し損傷効果に関する研究の一例として､SiCダイオ-ド(粒子検出器)にガンマ線､電子線､陽子線を照射し､照射前後のキャリア濃度や粒子検出器の性能を示す指標である電荷収集効率(CCE; Charge Collection Efficiency)を評価した結果について報告する｡また､シングルイベント効果に関する研究の一例として､SiCダイオードに重イオン1個を照射し､その際に発生する過渡電流を計測するシステムや測定結果について紹介する｡, Silicon Carbide (SiC) is one of the most candidate semiconductor materials for high-power and rad-hard electronics. We have studied the total ionizing dose, displacement damage, and single event effects on SiC devices. One of the experimental results of displacement damage effects on SiC diodes is introduced here. The carrier density of epitaxial layer and Charge Collection Efficiency (CCE) reduce with increase in fluence of gamma-ray, 1 MeV electrons, and 65 MeV protons. In addition to this, the experimental setup and results for transient current induced by an ion strike are expressed in this presentation., 資料番号: AA0064294007},
 publisher = {宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部, Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)},
 title = {SiCデバイスのはじき出し損傷効果とシングルイベント効果},
 volume = {19},
 year = {2009}
}