@inproceedings{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00017565,
 author = {高本, 達也 and Takamoto, Tatsuya},
 book = {高温エレクトロニクス研究会, ISAS Research Meeting on high Temperature Electronics},
 month = {May},
 note = {第18回高温エレクトロニクス研究会. 日時: 2008年3月5日. 会場: 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス, InGaP/GaAs/Ge3接合型太陽電池の概要と温度特性について述べる。高温ではGeボトムセルの電圧がほぼ０になるため、3接合セルの開放電圧は2接合セルと同等になる。照射する光強度を増加させることでGeセルの電圧は増加し、3接合セルの解法電圧に寄与する。, Temperature characteristics of InGaP/GaAs/Ge triple-junction cell is presented. Open circuit voltage of the triple-junction cell is not so different from that of dual junction cell in high temperature range, because voltage of Ge bottom cell becomes almost zero. Voltage of the Ge cell increases as the light intensity increases and contributes for the open circuit voltage of the triple-junction cell., 資料番号: AA0063966001},
 pages = {5--17},
 publisher = {宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙科学情報解析センター, The Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)},
 title = {多接合型太陽電池の高温特性},
 volume = {18},
 year = {2008}
}