@inproceedings{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00017567,
 author = {石井, 竜介 and 中山, 浩二 and 菅原, 良孝 and 土田, 秀一 and Ishii, Ryusuke and Nakayama, Koji and Sugawara, Yoshitaka and Tsuchida, Hidekazu},
 book = {高温エレクトロニクス研究会, ISAS Research Meeting on high Temperature Electronics},
 month = {May},
 note = {第18回高温エレクトロニクス研究会. 日時: 2008年3月5日. 会場: 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス, 本発表では、従来のSiツェナーダイオードに比べて高い動作容量を有し、かつ高温領域でも安定した特性をもつSiCツェナーダイオードを実現したので、その結果を報告する。今回作製したSiCツェナーダイオードは、高ドーピング密度のpn接合界面および4mm×4mmの大きな通電面積を有しており、その絶縁破壊電圧の温度依存係数は、20～300℃で5.7×10(exp -5)1/Kと小さく、また矩形波(t(sub w)=1ms)の条件下で測定した動作容量は、20℃で6.3ｋW(40kW/cm2)、300℃でも6.0kW(38kW/cm2)と優れた電気特性を示した。, The achievement of high-power SiC Zener diodes at high temperature has been reported. The SiC Zener diodes have a high-doped pn junction and a large active area of 4 mm x 4 mm. The temperature coefficient of the breakdown voltage is as small as 5.7 x 10(exp -5) 1/K (positive) in the temperature range 20-300 C. In addition, reverse power capabilities of 6.3 kW (40 kW/cm2) at 20 C and 6.0 kW (38 k/cm2) at 300 C during rectangular pulsed power operation (t(sub w) = 1 ms) have been achieved without device failure., 資料番号: AA0063966003},
 pages = {33--43},
 publisher = {宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙科学情報解析センター, The Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)},
 title = {SiCツェナーダイオードの高温動作},
 volume = {18},
 year = {2008}
}