@inproceedings{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00017594,
 author = {三浦, 喜直 and 二宮, 仁 and 小林, 研也 and Miura, Yoshinao and Ninomiya, Hitoshi and Kobayashi, Kenya},
 book = {第15回高温エレクトロニクス研究会, Proceedings of the 15th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS},
 month = {Jun},
 note = {第15回高温エレクトロニクス研究会（2005年2月22日. 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部(JAXA)(ISAS)）, 相模原市, 神奈川県, 15th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS (February 22, 2005. Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS)), Sagamihara, Kanagawa Japan, 資料番号: SA6000027004},
 pages = {31--41},
 publisher = {宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部 (JAXA)(ISAS), Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS)},
 title = {車載向け次世代パワーMOSFETの開発},
 year = {2005}
}