WEKO3
アイテム
GaN中の転位がショットキーI-V特性に与える影響
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/2002580
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/20025806232d032-d371-43fe-9fa0-e552123ff084
| アイテムタイプ | WEKO3_シンポジウム等 / Symposium(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2026-03-12 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | GaN中の転位がショットキーI-V特性に与える影響 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Correlation between I-V characteristics and dislocations for n-GaN Schottky contacts | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||||||
| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||||||
| 著者 |
塩島, 謙次
× 塩島, 謙次
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| 著者所属 | ||||||||||
| 著者所属 | NTTフォトニクス研究所テラビットデバイス研究部結晶材料研究グループ(テ晶G)(ja) NTT Photonics Laboratories(en) |
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| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 宇宙科学研究所 (ISAS)(ja) Institute of Space and Astronautical Science (ISAS)(en) |
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| bibliographic_information |
ja : 第11回高温エレクトロニクス研究会 en : Proceedings of the 11th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS 発行日 2001-03 |
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| 会議概要 | ||||||||||
| 会議名 | 第11回高温エレクトロニクス研究会(ja) 11th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS(en) |
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| 開催期間 | 2001-02-23 | |||||||||
| 開催会場 | 宇宙科学研究所 (ISAS), 相模原市, 神奈川県(ja) Institute of Space and Astronautical Science (ISAS), Sagamihara, Kanagawa Japan(en) |
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| 開催国 | JPN | |||||||||
| 資料番号(Local) | ||||||||||
| 関連識別子 | 資料番号: SA6000219009 | |||||||||
