WEKO3
アイテム
実デバイス・プロセスに適合したSiC低抵抗コンタクトの実現
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/2002582
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/200258201a5606c-6a06-488a-8751-caa4ac5f34cc
| アイテムタイプ | WEKO3_シンポジウム等 / Symposium(1) | |||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2026-03-12 | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | 実デバイス・プロセスに適合したSiC低抵抗コンタクトの実現 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | Ohmic Contacts Applicable to SiC Electron Devices | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||||||||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||||||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||||||||||||||||||
| 著者 |
谷本, 智
× 谷本, 智
× 早見, 泰明
× 星, 正勝
× 大串, 秀世
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| 著者所属 | ||||||||||||||||||||||
| 著者所属 | 新機能素子研究開発協会(ja), 新機能素子研究開発協会(ja), 新機能素子研究開発協会(ja), 電子技術総合研究所(ja) R&D Association for Future Electron Devices (FED)(en), R&D Association for Future Electron Devices (FED)(en), R&D Association for Future Electron Devices (FED)(en), Electrotechnical Laboratory (ETL)(en) |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 宇宙科学研究所 (ISAS)(ja) Institute of Space and Astronautical Science (ISAS)(en) |
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| bibliographic_information |
ja : 第11回高温エレクトロニクス研究会 en : Proceedings of the 11th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS 発行日 2001-03 |
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| 会議概要 | ||||||||||||||||||||||
| 会議名 | 第11回高温エレクトロニクス研究会(ja) 11th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS(en) |
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| 開催期間 | 2001-02-23 | |||||||||||||||||||||
| 開催会場 | 宇宙科学研究所 (ISAS), 相模原市, 神奈川県(ja) Institute of Space and Astronautical Science (ISAS), Sagamihara, Kanagawa Japan(en) |
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| 開催国 | JPN | |||||||||||||||||||||
| 資料番号(Local) | ||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | 資料番号: SA6000219010 | |||||||||||||||||||||
