WEKO3
アイテム
SiC MOS構造物性とデバイス
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/2002632
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/200263268360a5b-2250-4a02-ba2e-cbd1985c129b
| アイテムタイプ | WEKO3_シンポジウム等 / Symposium(1) | |||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2026-03-12 | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | SiC MOS構造物性とデバイス | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | SiC MOS Structure Physics and Device | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||||||||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||||||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||||||||||||||||||
| 著者 |
矢野, 裕司
× 矢野, 裕司
× 井上, 尚也
× 木本, 恒暢
× 松波, 弘之
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| 著者所属 | ||||||||||||||||||||||
| 著者所属 | 京都大学工学研究科(ja), 京都大学工学研究科(ja), 京都大学工学研究科(ja), 京都大学工学研究科(ja) Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University(en), Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University(en), Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University(en), Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University(en) |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 宇宙科学研究所 (ISAS)(ja) Institute of Space and Astronautical Science (ISAS)(en) |
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| bibliographic_information |
ja : 第7回高温エレクトロニクス研究会 en : Proceedings of the 7th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS 発行日 1997-03 |
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| 会議概要 | ||||||||||||||||||||||
| 会議名 | 第7回高温エレクトロニクス研究会(ja) 7th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS(en) |
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| 開催期間 | 1997-03-06 | |||||||||||||||||||||
| 開催会場 | 宇宙科学研究所 (ISAS), 相模原市, 神奈川県(ja) Institute of Space and Astronautical Science (ISAS), Sagamihara, Kanagawa Japan(en) |
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| 開催国 | JPN | |||||||||||||||||||||
| 資料番号(Local) | ||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | 資料番号: SA6000223007 | |||||||||||||||||||||
