WEKO3
アイテム
SiC半導体デバイスの現状
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/2002648
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/2002648142d4a38-a38e-46fd-852d-e90e13d52f05
| アイテムタイプ | WEKO3_シンポジウム等 / Symposium(1) | |||||||||||||
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| 公開日 | 2026-03-12 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | SiC半導体デバイスの現状 | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Prospects for Development of SiC Devices | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||||||||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||||||||||
| 著者 |
八尾, 勉
× 八尾, 勉
× 大野, 俊之
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| 著者所属 | ||||||||||||||
| 著者所属 | 株式会社日立製作所日立研究所(ja), 株式会社日立製作所日立研究所(ja) Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.(en), Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.(en) |
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| 出版者 | ||||||||||||||
| 出版者 | 宇宙科学研究所 (ISAS)(ja) Institute of Space and Astronautical Science (ISAS)(en) |
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| bibliographic_information |
ja : 第6回高温エレクトロニクス研究会 en : Proceedings of the 6th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS 発行日 1996-03 |
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| 会議概要 | ||||||||||||||
| 会議名 | 第6回高温エレクトロニクス研究会(ja) 6th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS(en) |
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| 開催期間 | 1996-03-12 | |||||||||||||
| 開催会場 | 宇宙科学研究所 (ISAS), 相模原市, 神奈川県(ja) Institute of Space and Astronautical Science (ISAS), Sagamihara, Kanagawa Japan(en) |
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| 開催国 | JPN | |||||||||||||
| 資料番号(Local) | ||||||||||||||
| 関連識別子 | 資料番号: SA6000224009 | |||||||||||||
