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  1. シンポジウム・研究会
  2. 高温エレクトロニクス研究会
  3. 第5回
  1. コンテンツタイプ
  2. 会議発表論文/会議発表用資料 (Conference Paper/Presentation)

SiC半導体デバイスの最近の進展(第21回化合物半導体シンポジウムの報告を中心として)

https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/2002655
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/2002655
35470430-6a16-4868-b85d-3df5fdeddebc
アイテムタイプ WEKO3_シンポジウム等 / Symposium(1)
公開日 2026-03-12
タイトル
タイトル SiC半導体デバイスの最近の進展(第21回化合物半導体シンポジウムの報告を中心として)
言語 ja
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
アクセス権
アクセス権 metadata only access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
著者 木本, 恒暢

× 木本, 恒暢

ja 木本, 恒暢
京都大学

en KIMOTO, Tsunenobu
Kyoto University

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松波, 弘之

× 松波, 弘之

ja 松波, 弘之
京都大学

en MATSUNAMI, Hiroyuki
Kyoto University

Search repository
著者所属
著者所属 京都大学工学部(ja), 京都大学工学部(ja)
Kyoto University(en), Kyoto University(en)
出版者
出版者 宇宙科学研究所 (ISAS)(ja)
Institute of Space and Astronautical Science (ISAS)(en)
bibliographic_information ja : 第5回高温エレクトロニクス研究会
en : Proceedings of the 5th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS

発行日 1995-03
会議概要
会議名 第5回高温エレクトロニクス研究会(ja)
5th ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS(en)
開催期間 1995-03-02
開催会場 宇宙科学研究所 (ISAS), 相模原市, 神奈川県(ja)
Institute of Space and Astronautical Science (ISAS), Sagamihara, Kanagawa Japan(en)
開催国 JPN
資料番号(Local)
関連識別子 資料番号: SA6000225004
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Ver.1 2026-02-27 07:51:07.365336
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