@misc{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00020943,
 author = {小倉, 恵 and 江口, 慎一 and Ogura, Satoshi and Eguchi, Shinichi},
 month = {Oct},
 note = {第24回マイクロエレクトロニクスワークショップ(MEWS24) (2011年10月13日-14日. つくば国際会議場), つくば市, 茨城, The 24th Microelectronics Workshop (MEWS24) (October 13-14, 2011. Tsukuba International Congress Center), Tsukuba, Ibaraki, Japan, 形態: カラー図版あり, Physical characteristics: Original contains color illustrations, 資料番号: AD1710001017},
 title = {High Power L-band T/R Module utilizing GaN HEMT},
 year = {2011}
}