| アイテムタイプ |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2019-08-09 |
| タイトル |
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タイトル |
Effect of buffer layer structure on the structural properties of GaAs epitaxial layers grown on GaP substrates |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Semiconducting III-V materials |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Metalorganic vapor phase epitaxy |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Heteroepitaxial growth |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Solar cells |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
metadata only access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb |
| 著者 |
今泉, 充
廣谷, 真澄
曽我, 哲夫
梅野, 正義
Imaizumi, Mitsuru
Hirotani, Masumi
Soga, Tetsuo
Umeno, Masayoshi
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| 著者所属 |
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宇宙航空研究開発機構(JAXA) |
| 著者所属 |
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大同特殊鋼株式会社 |
| 著者所属 |
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名古屋工業大学 |
| 著者所属 |
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名古屋工業大学 : シーズテクノ株式会社 |
| 著者所属（英） |
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en |
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Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 著者所属（英） |
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en |
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Daido Steel Co., Ltd. |
| 著者所属（英） |
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en |
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Nagoya Institute of Technology |
| 著者所属（英） |
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en |
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Nagoya Institute of Technology : C's Techno Inc. |
| 出版者（英） |
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出版者 |
Elsevier |
| 書誌情報 |
en : Journal of Crystal Growth
巻 507,
p. 288-294,
発行日 2018-11-17
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| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
形態: 図版あり |
| 内容記述（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Physical characteristics: Original contains illustrations |
| 内容記述（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Accepted: 2018-11-12 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0022-0248 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA00696341 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA11531784 |
| DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.11.010 |
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関連名称 |
info:doi/10.1016/j.jcrysgro.2018.11.010 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: PA1910004000 |
