| Item type |
会議発表論文 / Conference Paper(1) |
| 公開日 |
2018-05-07 |
| タイトル |
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タイトル |
Development of Far-Infrared Germanium Photoconductors with Surface Activated Wafer Bonding Technology |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 |
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資源タイプ |
conference paper |
| 著者 |
服部, 和生
金田, 英宏
大薮, 進喜
木幡, 洸大
田中, 琴未
和田, 武彦
鈴木, 仁研
渡辺, 健太郎
Hattori, Yasuki
Kaneda, Hidehiro
Oyabu, Shinki
Kobata, Kodai
Tanaka, Kotomi
Wada, Takehiko
Suzuki, Toyoaki
Watanabe, Kentaro
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| 著者所属 |
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名古屋大学 |
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名古屋大学 |
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名古屋大学 |
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名古屋大学 |
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名古屋大学 |
| 著者所属 |
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宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS) |
| 著者所属 |
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Netherlands Institute for Space Research (SRON) |
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東京大学 |
| 著者所属（英） |
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en |
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Nagoya University |
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en |
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Nagoya University |
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en |
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Nagoya University |
| 著者所属（英） |
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en |
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Nagoya University |
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en |
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Nagoya University |
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en |
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Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) |
| 著者所属（英） |
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en |
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Netherlands Institute for Space Research (SRON) |
| 著者所属（英） |
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en |
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The University of Tokyo |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙航空研究開発機構(JAXA) |
| 出版者（英） |
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出版者 |
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 書誌情報 |
宇宙航空研究開発機構特別資料
en : JAXA Special Publication: Proceedings of the SPICA Science Conference from Exoplanets to Distant Galaxies: SPICA's New Window on the Cool Universe
巻 JAXA-SP-17-010E,
p. 407-409,
発行日 2018-03-09
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| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
SPICA Science Conference from Exoplanets to Distant Galaxies: SPICA's New Window on the Cool Universe (June 18-21, 2013. Ito Hall, the University of Tokyo), Bunkyou-ku, Tokyo, Japan |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
We present our recent activities on the development of new Ge photoconductors for far-infrared (far-IR) astronomy. Using the surface-activated wafer bonding (SAB) method provided by Mitsubishi Heavy Industries, we fabricated a Ge p+-i p+-i junction device with clean abrupt junction, which basically possesses a Blocked-Impurity-Band-type (BIB-type) structure. We measured the far-IR sensitivity of the device at 1.7K using a blackbody source and spectral response curves at 2.8K using a Fourier transform spectrometer. The device shows considerably higher sensitivity and wider spectral coverage than a conventional bulk Ge:Ga device, demonstrating promising applicability of SAB Ge p+-i junction devices to BIB-type Ge detectors. |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
形態: カラー図版あり |
| 内容記述（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Physical characteristics: Original contains color illustrations |
| ISSNONLINE |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
2433-2232 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA1730027090 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: JAXA-SP-17-010E |
AA1730027090.pdf (5.3 MB)
