| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
化合物半導体太陽電池〔1〕(<特集>観測ロケット基礎開発研究特集号) |
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言語 |
jpn |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| その他のタイトル（英） |
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その他のタイトル |
Compound-Semiconductor Solar Cells I |
| 著者 |
河東田, 隆
山崎, 進
岸, 真人
KATODA, Takashi
YAMAZAKI, Susumu
KISHI, Masato
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| 著者所属 |
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東京大学宇宙航空研究所 |
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東京大学宇宙航空研究所 |
| 著者所属 |
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東京大学宇宙航空研究所 |
| 著者所属（英） |
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en |
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the Institute of Space and Aeronautical Science University of Tokyo |
| 著者所属（英） |
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en |
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the Institute of Space and Aeronautical Science University of Tokyo |
| 著者所属（英） |
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en |
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the Institute of Space and Aeronautical Science University of Tokyo |
| 出版者 |
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出版者 |
東京大学宇宙航空研究所 |
| 書誌情報 |
東京大学宇宙航空研究所報告
巻 13,
号 1_B,
p. 231-245,
発行日 1977-03
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
三元の化合物半導体であるIn_<1-x>Ga_xAsを用いて,Graded-band gap 構造太陽電池を作成することにより,理論的計算によれば,29.4%の高効率が得られる.本報告では,基礎的検討として,まず気相エピタキシャル法によるIn_<1-x>Ga_xAs 単結晶作成技術,In_<1-x>Ga_xAsショットキ構造の障壁高さの組成比依存性に検討を加えた.ショットキ障壁高さは,表面に形成される酸化物に影響をうけることが判明した。次に太陽電池として基本的構造を有する素子を作成し,特性を測定した。実際の素子では,理論的計算では考慮していない基板と成長層の界面の特性が問題となり,現在まだ高効率は得られていない。GaAs太陽電池と比較すると,スペクトル特性は改善されている。 |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
In_<1-x>Ga_xAs solar cells with graded-band gap structure are expected to have conversion efficiency up to 29.4% according to our theoretical calculation. Photocells with Schottky barrier were prepared by evaporating Au on n-type In_<1-x>Ga_xAs epitaxial layers grown on n-type GaAs substrates using In-Ga-AsCl_3-H_2 vapor-phase deposition system. Oxide film naturally formed on the surface of In_<1-x>Ga_xAs was found to influence barrier height of Schottky diode made on it. Low conversion efficiency of In_<1-x>Ga_xAs solar cells such as 1% is considered at present due to high-resistivity layer at the interface between the epitaxial layer and substrate. Spectral response of them, however, are wider than that of solar cells made of GaAs. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0563-8100 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00161914 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: SA0124747000 |
SA0124747.pdf (723.4 kB)
