@article{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00032566,
 author = {河東田, 隆 and 岸, 眞人 and 山崎, 進 and KATODA, Takashi and KISHI, Masato and YAMAZAKI, Susumu},
 issue = {1_C},
 journal = {東京大学宇宙航空研究所報告},
 month = {Mar},
 note = {低温や高温などの特殊環境および宇宙環境で使用するのに適した電子デバイスの特性を最適化するために用いる三元以上の多元系化合物半導体に関し,組成とショットキー障壁の高さ,組成と電子移動度との関係など,基本的な性質に関する検討を行った.また,三元系化合物半導体のフォノンスペクトルがクラスタの影響を受けること,電子移動度低下の原因がクラスタの形成と密接に関連していること,およびフォノンスペクトルと組成の関係から,多元系化合物半導体の結晶作成の難易を予想することができることを明らかにした., Fundamental properties such as barrier height of a Schottky diode vs composition and electron mobility vs composition characteristics of ternally alloy semiconductors which are expected to be applied to various electronic and optical devices suitable to be used in space and inordinary enviroments, for example, of a high or low temperature were measured. It was made clear that both phonon spectra and electron mobility in ternally alloy semiconductors are affected by clusters. Phonon spectra vs composition characteristics of ternally alloy semiconductors were found to be useful to estimate the degree of difficulty to grow crystals of those materials., 資料番号: SA0125871000},
 pages = {849--858},
 title = {<論文>特殊環境用電子デバイス材料の設計と作成及び評価},
 volume = {16},
 year = {1980}
}