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アイテム
亞酸化銅半導體内電子の勢力準位構造(第2報)(物理學)
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/34164
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/341643acf037b-2c28-44d0-94de-add256023d8d
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2015-03-26 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 亞酸化銅半導體内電子の勢力準位構造(第2報)(物理學) | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
| その他のタイトル(英) | ||||||||||
| その他のタイトル | The Electronic Structure of Semiconductor Cu_2O (Part 1)[Physics] | |||||||||
| 著者 |
山下, 次郎
× 山下, 次郎
× Yamashita, Jiro
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| 著者所属 | ||||||||||
| 東京大學理工學研究所 | ||||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||||
| en | ||||||||||
| The Institute of Science and Technology, University of Tokyo | ||||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 東京大学理工学研究所 | |||||||||
| 書誌情報 |
東京大學理工學研究所報告 巻 2, 号 1/2, p. 1-4, 発行日 1948-02-20 |
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| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 0371-6090 | |||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AN00162611 | |||||||||
| 資料番号 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 資料番号: SA1511395000 | |||||||||