@inproceedings{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00039046,
 author = {岩田, 裕史 and 鏡原, 聡 and 松浦, 秀治 and 川北, 史朗 and 大島, 武 and 神谷, 富裕 and Iwata, Hirofumi and Kagamihara, Sou and Matsuura, Hideharu and Kawakita, Shirou and Oshima, Takeshi and Kamiya, Tomihiro},
 month = {Oct},
 note = {第6回宇宙用半導体素子放射線影響国際ワークショップ(2004年10月6-8日,つくば国際会議場(2階)中ホール200), つくば市, 茨城県, 資料番号: ARDS04198000, レポート番号: 330448},
 publisher = {宇宙航空研究開発機構(JAXA) : 日本原子力研究所},
 title = {Change of Majority-Carrier Concentration in p-Type Silicon by 10 MeV Proton Irradiation},
 year = {2004}
}