@inproceedings{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00039568,
 author = {水田, 栄一 and 仲田, 祐希 and 鈴木, 浩一 and Mizuta, Eiichi and Nakada, Yuki and Suzuki, Koichi},
 book = {2016年総合大会講演論文集, Proceedings of the 2016 IEICE General Conference},
 issue = {通信(2)},
 month = {Mar},
 note = {2016年電子情報通信学会 総合大会 (2016年3月15日-18日. 九州大学）, 福岡市, 福岡県, SiCやGaN等の次世代パワーデバイスは、将来の宇宙分野における活用が期待されている。SiCやGaNが使用可能となると、人工衛星やロケット等に搭載されている機器の大幅な小型軽量化、低消費電力化が進み、大きなメリットとなる。現時点では、通信用で次世代パワーデバイスの活用が先行しており、GaN HEMTが既に人工衛星に搭載されている。パワー用については、通信用に比べて使用条件が厳しいことからまだ初期評価段階であり、民生品の放射線耐性評価などが行われている。SiCデバイスは放射線(SEE)耐性が著しく低いという結果となっており、GaNデバイスについては比較的良好な結果が得られている。今後は主にGaNデバイスを宇宙で活用するべく検討を進めていく予定である。, 形態: カラー図版あり, Physical characteristics: Original contains color illustrations, 資料番号: PA1620070000},
 pages = {S-107--S-108},
 publisher = {電子情報通信学会, The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (IEICE)},
 title = {宇宙における次世代パワーデバイスの活用},
 year = {2016}
}