@techreport{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00040676,
 author = {加藤, 浩和 and 木下, 恭一 and 依田, 真一 and Kato, Hirokazu T. and Kinoshita, Kyoichi and Yoda, Shinichi},
 month = {Sep},
 note = {組成的過冷却は結晶成長における最も重要な現象の1つである。混合結晶に関する組成的過冷却については理論的解析が幾つか存在するが、組成的過冷却が発生する実験的条件は未だ特定できていない。そこで、溶融In(0.3)Ga(0.7)Asが一方向凝固する際の組成的過冷却の挙動を、固化した試料の濃度分布を評価することによって検討した。その結果、固液(S/L)界面の温度勾配が約40から45度C/cmのとき、組成的過冷却に対する試料移動速度の限界は0.9mm/hから2mm/hの範囲内にあることがわかった。種々の移動速度における濃度分布のパターンについても検討した。, Constitutional supercooling is one of the most important phenomena for crystal growth. There are several theoretical analyses of constitutional supercooling on mixed crystals, but the experimental conditions for the occurrence of constitutional supercooling have not been identified. The constitutional supercooling behavior during directional solidification of a In(0.3)Ga(0.7)As melt was investigated by evaluating concentration distribution of solidified samples. The results showed that the limit of sample traveling rate for constitutional supercooling was between 0.9 mm/h and 2 mm/h when the Solid/Liquid (S/L) interface had a temperature gradient of about 40 to 45 C/cm. The pattern of concentration distribution in various traveling rates was also discussed., 資料番号: AA0002208005, レポート番号: NASDA-TMR-990006E},
 title = {Constitutional supercooling during directional solidification of In(0.3)Ga(0.7)As melt},
 year = {1999}
}