@techreport{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00040677,
 author = {中村, 裕彦 and 徂徠, 正夫 and 石川, 正道 and 加藤, 浩和 and 依田, 真一 and 木下, 恭一 and Nakamura, Hirohiko and Sorai, Masao and Ishikawa, Masamichi and Kato, Hirokazu and Yoda, Shinichi and Kinoshita, Kyoichi},
 month = {Sep},
 note = {InGaAs成長中の熱力学的促進力を評価するために、簡単な2格子過剰エンタルピーモデルを適用した。In-Ga-As系は、2格子モデルの正当性を保ちながらInAS-GaAs擬似2成分系に還元できることがわかった。固相に対する過剰エンタルピー項を推算するために微分格子パラメータモデルを適用した。結晶化プロセスの間の熱力学的促進力を計算するために、熱力学方程式を構築した。この方程式を用いて再構築した状態図により、相に関連する実験データを正しく説明することができた。, To evaluate thermodynamic driving force during the growth of InGaAs, simple two lattice excess enthalpy model was applied. It was found that the In-Ga-As system could be reduced to InAs-GaAs pseudo-binary system, keeping the validity of the two lattice model. A differential lattice parameter model was applied to estimate the excess enthalpy term for the solid phase. Thermodynamic equations were constructed to calculate the thermodynamic driving force during crystallization processes. Reconstructed phase diagram using the present equation well explained the experimental phase relation data., 資料番号: AA0002208006, レポート番号: NASDA-TMR-990006E},
 title = {Simple thermodynamic equations to calculate driving force for In(x)Ga(1-x)As crystals which grow from their own melt},
 year = {1999}
}