@techreport{oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00040678,
 author = {橋尾, 克司 and 龍見, 雅美 and 加藤, 浩和 and 木下, 恭一 and Hashio, Katsushi and Tatsumi, Masami and Kato, Hirokazu and Kinoshita, Kyoichi},
 month = {Sep},
 note = {成分プロフィルを制御したIn(x)Ga(1-x)As多結晶を調製することを、通常の一方向凝固を用いつつ組成的過冷却を発生させることなく実現することができた。成長界面において40K/cmの高い温度勾配を設けることにより、成長速度を0.62mm/hまで減らした状態で組成的過冷却を抑制することに成功した。組成的過冷却にある溶融体からの結晶成長において組成が周期的に変動することから、過冷却度は成長界面の前面で最大であり、その場所で核形成と成長が急激に起こっていると推察することができる。, Preparation of In(x)Ga(1-x)As polycrystals having a controlled compositional profile can be realized without occurrence of the constitutional supercooling by using normal directional solidification. Under a high temperature gradient of 40 K/cm at the growth interface, the constitutional supercooling has been successfully suppressed by reducing the growth rate to 0.62 mm/h. From the periodic fluctuation of the composition in the crystal grown from the constitutional supercooling melt, it is supposed that the degree of the supercooling becomes maximum in front of the growth interface, where nucleation and growth occur abruptly., 資料番号: AA0002208007, レポート番号: NASDA-TMR-990006E},
 title = {Preparation of InGaAs starting materials with the gradient InAs concentration},
 year = {1999}
}