| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(0.3)Ga(0.7)As |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
種結晶 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
多成分域溶融 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
MCZM |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
垂直勾配冷凍 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InAs組成 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
成長界面 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
成長温度 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
移動速度 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
均質組成 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(0.3)Ga(0.7)Aa |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
seed crystal |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
multi component zone melting |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
MCZM |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
virtical gradient freeze |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InAs composition |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
growth interface |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
growth temperature |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
traveling rate |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
homogenious composition |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
Multi-componentゾーンメルティング法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の育成 |
| 著者 |
児玉, 茂夫
古村, 雄二
木下, 恭一
加藤, 浩和
依田, 真一
Kodama, Shigeo
Furumura, Yuji
Kinoshita, Kyoichi
Kato, Hirokazu
Yoda, Shinichi
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| 著者所属 |
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富士通研究所 |
| 著者所属 |
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富士通研究所 |
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日本電信電話 物性科学基礎研究所 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
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en |
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Fujitsu Laboratories Ltd |
| 著者所属（英） |
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en |
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Fujitsu Laboratories Ltd |
| 著者所属（英） |
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en |
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Nippon Telegraph and Telephon Corporation Basic Research Center |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告
en : NASDA Technical Memorandum
p. 57-60,
発行日 1999-09-30
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
最近、多成分域溶融法を用いたIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の調整を、宇宙実験用として進めている。これまでに、28mm長さの単結晶In(x)Ga(1-x)Asの3元バルク結晶をGaAs種結晶の上に成長させてきた。垂直勾配冷凍法におけるのと同様に、成長する結晶のInAs組成は、初期成長界面において0.04から徐々に0.33まで成長温度の低下とともに増加した。その後、結晶がさらに4mmの長さを成長する間、試料を成長速度にほぼ等しい速度で動かすことによって、この部分のInAs組成を0.34±0.1に維持することができた。宇宙実験のための種結晶に必要な長さは20mmである。したがって、均質な部分の長さをさらに増加させる必要がある。 |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method is currently under way for space experiments. A 28 mm long single crystalline In(x)Ga(1-x)As ternary bulk crystal has been grown on GaAs seed crystal so far. The InAs composition of the grown crystal was gradually increased from 0.04 at the initial growth interface to 0.33 by decreasing the growth temperature, as in the vertical gradient freeze method. Then the composition was maintained at 0.34 +/- 0.1 during the growth of 4 mm in length by moving the sample at a rate nearly equal to the growth rate. The required length of seed crystals for space experiments in 20 mm. So the length of the homogeneous region has to be increased. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0002208008 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-990006E |
02208008.pdf (354.1 kB)
