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Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/41993
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/41993a4d84aa0-4b25-4e69-9e77-c1ff69656955
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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29300000.pdf (8.5 MB)
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| Item type | テクニカルレポート / Technical Report(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2015-03-26 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Annual report of the semiconductor team in NASDA Space Utilization Research Program 1999: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-growth of homogeneous crystals | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | In(0.3)Ga(0.7)As | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 単結晶 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 微小重力 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | グレーデッド溶質濃縮法 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 部分溶融法 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 濃度勾配部分溶融法 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | スペースシャトル | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 国際宇宙ステーション | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | In(x)Ga(1-x)As | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 固液反応 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 多成分ゾーン溶融法 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 混合結晶 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | InAs-GaAs | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | バイナリ半導体 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | gジッタ | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | In(0.3)Ga(0.7)As | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | single crystal | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | microgravity | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | graded solute concentration method | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | partial melting method | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | concentration gradient partial melting method | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Space Shuttle | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | International Space Station | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | In(x)Ga(1 minus x)As | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | solid liquid reaction | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | multi component zone melting method | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | mixed crystal | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | InAs GaAs | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | binary semiconductor | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | g jitter | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh | |||||||||
| 資源タイプ | technical report | |||||||||
| その他のタイトル | ||||||||||
| その他のタイトル | 宇宙開発事業団(NASDA)宇宙利用研究計画1999半導体チーム年次報告:一様結晶の半導体合金(InGaAs)成長の成長関連特性に対する微小重力環境の影響 | |||||||||
| 著者 |
宇宙開発事業団
× 宇宙開発事業団
× Natl. Space Development Agency of Japan
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| 著者所属 | ||||||||||
| 宇宙開発事業団 | ||||||||||
| 著者所属（英） | ||||||||||
| en | ||||||||||
| National Space Development Agency of Japan | ||||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 宇宙開発事業団 | |||||||||
| 出版者（英） | ||||||||||
| 出版者 | National Space Development Agency of Japan (NASDA) | |||||||||
| 書誌情報 |
en : NASDA Technical Memorandum p. 1-86, 発行日 2000-09-29 |
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| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | 以下の主題について議論した。グレーデッド溶質濃縮法による均質なIn(0.3)Ga(0.7)As結晶の成長、濃度勾配部分溶融法とそのIn(x)Ga(1-x)Asへの応用、微小重力条件での2成分系半導体の結晶成長、InAs-GaAs相互拡散の測定、レーザフラッシュ法による溶融InGaAsの熱拡散率、InAs濃度勾配のあるInGaAs出発物質、多成分ゾーン溶融法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備、数値解析の信頼性試験、ラマン散乱を使ったIn(x)Ga(1-x)As多結晶の解析など。 | |||||||||
| 抄録（英） | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | The following topics were discussed: homogeneous In(0.3)Ga(0.7)As crystal growth by the graded solute concentration method, concentration gradient partial melting method and application to In(x)Ga(1-x)As, crystal growth of an InAs-GaAs binary semiconductor under microgravity condition, InAs-GaAs interdiffusion measurements, thermal diffusivity of molten InGaAs by the laser flash method, InGaAs starting materials having the gradient InAs concentration, In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method, reliability investigation on numerical analysis, analysis of polycrystalline In(x)Ga(1-x)As using Raman scattering, etc. | |||||||||
| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 1345-7888 | |||||||||
| 資料番号 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 資料番号: AA0029300000 | |||||||||
| レポート番号 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | レポート番号: NASDA-TMR-000007E | |||||||||
