| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Effect of gravity-induced convection on crystal growth process |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶成長 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
重力効果 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
浮力対流 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
半導体 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
移行液相ゾーン法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
微小重力 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
数値解析 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
熱伝導度 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal growth |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
gravitational effect |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
buoyancy convection |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
semiconductor |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
traveling liquidus method |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
microgravity |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
numerical analysis |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
thermal conductivity |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
結晶成長過程における重力に誘発される対流の影響 |
| 著者 |
前川, 透
池上, 圭介
田所, 丈季
杉木, 喜洋
松本, 聡
Maekawa, Toru
Ikegami, Keisuke
Tadokoro, Tomoki
Sugiki, Yoshihiro
Matsumoto, Satoshi
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東洋大学 |
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東洋大学 |
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東洋大学 |
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東洋大学 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
| 著者所属（英） |
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en |
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Toyo University |
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en |
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Toyo University |
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en |
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Toyo University |
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en |
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Toyo University |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals
en : NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals
p. 41-49,
発行日 2001-12-25
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
The possibility of growing a uniform InAs-GaAs binary compound semiconductor by the Traveling Liquidus Zone (TLZ) method numerically is investigated. In the first half of this report, buoyancy convection and supercooling induced in the solution are focused and in the latter half, the crystal growth process under microgravity conditions is focused. It is found that strong convection and supercooling are induced in the solution under terrestrial gravity conditions, whereas convection is reduced remarkably and an almost diffusion limited crystal growth process is realised by the TLZ method under 1 microgram conditions. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0032602003 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-010016E |
32602003.pdf (1.4 MB)
