| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Diffusion constant measurement of oxygen atom in silicon melts |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
酸素拡散定数 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Siメルト |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
BN |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
アンプル |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
濃度 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
SIMS |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
炉 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
研究開発 |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
oxygen diffusion constant |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
silicon melt |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
BN |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
ampoule |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
concentration |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
SIMS |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
furnace |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
research and development |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
Siメルトの中での酸素原子の拡散定数の測定 |
| 著者 |
寺嶋, 一高
内田, 美佐子
正木, 匡彦
伊丹, 俊夫
Terashima, Kazutaka
Uchida, Misako
Masaki, Tadahiko
Itami, Toshio
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| 著者所属 |
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湘南工科大学 材料工学科 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
| 著者所属 |
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北海道大学 大学院理学研究科 |
| 著者所属（英） |
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en |
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Shonan Institute of Technology Department of Materials Science and Technology |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 著者所属（英） |
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en |
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Hokkaido University Graduate School of Science |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告
en : NASDA Technical Memorandum: Modeling and Precise Experiments of Diffusion Phenomena in Melts Under Microgravity: Annual Report 2000
p. 123-126,
発行日 2002-02-28
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
The preliminary studies for measurements of oxygen diffusion constant in silicon melts have been carried out. It has been recognized that the SiO partial pressure is much required during experiments to suppress the SiO evaporation from silicon melts. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0033133013 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-010019E |
33133013.pdf (523.6 kB)
