| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Thermophysical properties of I[lc]nG[lc]aA[lc]s |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
熱物理学的性質 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
粘度 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
熱拡散係数 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InGaAs |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
2重るつぼ法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
温度依存性 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶成長 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
化学組成 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
組成均一性 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
半導体材料 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
オプトエレクトロニクス装置 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
温度勾配 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
thermophysical property |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
viscosity |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
thermal diffusivity |
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言語 |
en |
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Other |
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主題 |
InGaAs |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
double crucible method |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
temperature dependence |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal growth |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
chemical composition |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
compositional homogeneity |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
semiconductor material |
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言語 |
en |
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Other |
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主題 |
optoelectronic device |
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言語 |
en |
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Other |
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主題 |
temperature gradient |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
InGaAsの熱物理学的性質 |
| 著者 |
松本, 聡
弓削, 定義
林, 義雄
清野, 悠
伊丹, 俊夫
木下, 恭一
Matsumoto, Satoshi
Yuge, Sadayoshi
Hayashi, Yoshio
Seino, Yu
Itami, Toshio
Kinoshita, Kyoichi
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| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用システム本部 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用システム本部 |
| 著者所属 |
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エイ・イー・エス |
| 著者所属 |
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エイ・イー・エス |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究システム |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究システム |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Office of Space Utilization Systems |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Office of Space Utilization Systems |
| 著者所属（英） |
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en |
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Advanced Engineering Services Co. Ltd. |
| 著者所属（英） |
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en |
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Advanced Engineering Services Co. Ltd. |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Program |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Program |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs)-Growth of Homogeneous Crystals
en : NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (I[lc]nG[lc]aA[lc]s)-Growth of Homogeneous Crystals
p. 55-60,
発行日 2002-12-27
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
The viscosity and thermal diffusivity of In(x)Ga(1-x)As with various compositions has been measured up to 1,500 K. The double crucible method and its availabilities to measure the high vaporizing materials on both measurement could be verified. The thermophysical data of In(x)Ga(1-x)As (x = 0.3, 0.5, and 0.8) could be obtained for the first time. The temperature dependence of viscosity of molten In(0.8)Ga(0.2)As was expressed as eta(T) = 0.213 exp(1.85 x 10(exp 3)/T) (mPa s) by an oscillating cup method. The thermal diffusivity of molten In(0.8)Ga(0.2)As was 11 mm(sup 2)/s at 1,313 K and that of solid was 1.8 mm(sup 2)/s at 1,273 K by a laser flush method. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0045402004 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-020024E |
45402004.pdf (340.2 kB)
