WEKO3
アイテム / LET Dependence of Gate Oxide Breakdown of SiC MOS Capacitors due to Single Heavy Ion Irradiation / 61889017
61889017
ファイル | ライセンス |
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61889017.pdf (420.7 kB) sha256 32d0042f4e191b33e9e9d6446d1caf4f1be5cc219e4bcc416757c8565b1ed7f7 |
公開日 | 2015-03-26 | |||||
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ファイル名 | 61889017.pdf | |||||
本文URL | https://jaxa.repo.nii.ac.jp/record/4311/files/61889017.pdf | |||||
ラベル | 61889017.pdf | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 420.7 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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