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化合物半導体結晶成長解析
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/6687
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/668704d63796-4569-4df5-b55a-22361277c9a3
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
46955000.pdf (2.4 MB)
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| Item type | テクニカルレポート / Technical Report(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2015-03-26 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 化合物半導体結晶成長解析 | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | InGaAs | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 結晶成長 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 数値解析 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 化合物半導体 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | TLZ法 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 微小重力 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 過冷却 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | 熱伝導度 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | InGaAs | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | crystal growth | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | numerical analysis | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | compound semiconductor | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | TLZ method | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | microgravity | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | supercooling | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | thermal conductivity | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh | |||||||||
| 資源タイプ | technical report | |||||||||
| その他のタイトル（英） | ||||||||||
| その他のタイトル | Numerical analysis of crystal growth of compound semiconductor | |||||||||
| 著者 |
東洋大学
× 東洋大学
× Toyo University
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| 著者所属 | ||||||||||
| 東洋大学 | ||||||||||
| 著者所属（英） | ||||||||||
| en | ||||||||||
| Toyo University | ||||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 宇宙航空研究開発機構 | |||||||||
| 出版者（英） | ||||||||||
| 出版者 | Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) | |||||||||
| 書誌情報 |
宇宙航空研究開発機構契約報告 en : JAXA Contract Report 巻 JAXA-CR-03-001, 発行日 2004-03-25 |
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| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | 化合物半導体InGaAs結晶成長を行うことを想定し、TLZ法における数値シミュレーションを行い、以下の項目について解析をした。1)地上重力場での結晶成長解析(結晶径20mm)、2)微小重力場での結晶成長解析(結晶径20mm)、3)地上重力場での結晶成長解析(結晶径10mm)、4)微小重力場での結晶成長解析(結晶径10mm)。 | |||||||||
| 抄録（英） | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | Crystal growth simulations of a binary InAs-GaAs semiconductor were carried out. The following problems were investigated; 1) Development of an advanced simulation code for the analysis of the velocity, temperature, concentration fields and interfacial shapes by TLZ method and 2) Analysis of the crystal growth process under terrestrial gravity and microgravity conditions. | |||||||||
| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 1349-1148 | |||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA11999050 | |||||||||
| 資料番号 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 資料番号: AA0046955000 | |||||||||
| レポート番号 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | レポート番号: JAXA-CR-03-001 | |||||||||
