Thermal Runaway in SiC Schottky Barrier Diodes Caused by Heavy Ions

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Permalink : http://id.nii.ac.jp/1696/00023038/

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
キーワード	Radiation damage, SiC Schottky barrier diode (SBD), single-event burnout, thermal runaway
著者	久保山智司水田栄一仲田祐希新藤浩之 Michez Alain Boch Jerome Saigne Frederic Touboul Antoine
著者（英）	Kuboyama Satoshi Mizuta Eiichi Nakada Yuki Shindou Hiroyuki Michez Alain Boch Jerome Saigne Frederic Touboul Antoine
著者所属	宇宙航空研究開発機構(JAXA) 宇宙航空研究開発機構(JAXA) 宇宙航空研究開発機構(JAXA) 宇宙航空研究開発機構(JAXA) Montpellier University Montpellier University Montpellier University Montpellier University
著者所属（英）	Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) Montpellier University Montpellier University Montpellier University Montpellier University
出版者（英）	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
雑誌名	IEEE Transactions on Nuclear Science
巻	66
号	7
ページ	1688 - 1693
発行年	2019-05-03
内容記述	形態: カラー図版あり
内容記述（英）	Physical characteristics: Original contains color illustrations Accepted: 2019-04-25
ISSN	0018-9499
書誌レコードID	AA00667999
DOI	info:doi/10.1109/TNS.2019.2914494
資料番号	資料番号: PA1910061000

★2020年12月2日

システムメンテナンスのお知らせ

12月10日（木）15:00-18:00の作業時間中、1～1時間半程度、サイトを閉鎖させていただきます。ご利用の皆様にはご迷惑をおかけいたしますが、よろしくお願いします。

★2020年4月10日
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