Photoluminescence evaluation of light element impurities in ultrathin SOI wafers by luminescence activation using electron irradiation

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Permalink : http://id.nii.ac.jp/1696/00023884/

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
著者	中川聰子曽根理嗣田島道夫大島武伊藤久義
著者（英）	Nakagawa S. Sone Y. Tajima M. Ohshima T. Itoh H.
著者所属	宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部（JAXA) (ISAS) : 総合研究大学院大学宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部（JAXA) (ISAS) : 総合研究大学院大学宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部（JAXA) (ISAS) 日本原子力研究開発機構日本原子力研究開発機構
著者所属（英）	Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) : Soken University Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) : Soken University Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Japan Atomic Energy Agency Japan Atomic Energy Agency
出版者（英）	Elsevier
雑誌名	Materials Science and Engineering: B
巻	134
号	2-3
ページ	172 - 175
発行年	2006-10
内容記述（英）	Accepted: 2006-07-03
ISSN	0921-5107
書誌レコードID	AA10720431
DOI	info:doi/10.1016/j.mseb.2006.07.003
資料番号	資料番号: SA1000566000

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