Development of Blocked-Impurity-Band-Type Ge Detectors Fabricated with the Surface-Activated Wafer Bonding Method for Far-Infrared Astronomy

doi:http://dx.doi.org/10.1007/s10909-016-1484-1

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学術雑誌論文 (Journal Article)

Permalink : http://id.nii.ac.jp/1696/00028998/

Development of Blocked-Impurity-Band-Type Ge Detectors Fabricated with the Surface-Activated Wafer Bonding Method for Far-Infrared Astronomy 利用統計を見る

アイテムタイプ	学術雑誌論文 / Journal Article
言語	英語
キーワード	Instrument, Far-infrared detector, Ge photoconductor, Blocked-Impurity-Band detector
著者	花岡美咲金田英宏大薮進喜山岸光義服部和生鵜飼壮太志知和幸和田武彦鈴木仁研渡辺健太郎長勢晃一馬場俊介公地千尋
著者（英）	Hanaoka Misaki Kaneda Hidehiro Oyabu Shinki Yamagishi Mitsuyoshi Hattori Yasuki Ukai Sota Shichi Kazuyuki Wada Takehiko Suzuki Toyoaki Watanabe Kentaroh Nagase Koichi Baba Shunsuke Kochi Chihiro
著者所属	名古屋大学名古屋大学名古屋大学名古屋大学名古屋大学名古屋大学名古屋大学宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS) 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS) 東京大学先端科学技術研究センター宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS) 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS) 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS)
著者所属（英）	Nagoya University Nagoya University Nagoya University Nagoya University Nagoya University Nagoya University Nagoya University Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS) Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS)
出版者（英）	Springer US
雑誌名	Journal of Low Temperature Physics
巻	184
号	1
ページ	225 - 230
発行年	2016-07
内容記述	著者人数: 13名
内容記述（英）	Accepted: 2016-01-04
ISSN	0022-2291
書誌レコードID	AA00701270
DOI	info:doi/10.1007/s10909-016-1484-1
資料番号	資料番号: SA1150326000

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