| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
High Doping Density/High Electric Field, Stress and Heterojunction Effects on the Characteristics of CMOS Compatible p-n Junctions |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
metadata only access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb |
| 著者 |
Simoen, E.
Eneman, G.
Bargallo, Gonzalez M.
小林, 大輔
Luque, Rodriguez A.
Jimenez, Tejada J.-A.
Claeys, C.
Simoen, E.
Eneman, G.
Bargallo, Gonzalez M.
Kobayashi, D.
Luque, Rodriguez A.
Jimenez, Tejada J.-A.
Claeys, C.
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| 著者所属 |
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imec |
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imec : ESAT-INSYS Department, Katholieke Universiteit Leuven : Fund for Scientific Research-Flanders (FWO) |
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imec : ESAT-INSYS Department, Katholieke Universiteit Leuven |
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imec : Departamento de Electronica y Tecnologia de los Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada |
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Departamento de Electronica y Tecnologia de los Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada |
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imec : ESAT-INSYS Department, Katholieke Universiteit Leuven |
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imec : ESAT-INSYS Department, Katholieke Universiteit Leuven : Fund for Scientific Research-Flanders (FWO) |
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imec : ESAT-INSYS Department, Katholieke Universiteit Leuven |
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imec : Departamento de Electronica y Tecnologia de los Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada |
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Departamento de Electronica y Tecnologia de los Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada |
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imec : ESAT-INSYS Department, Katholieke Universiteit Leuven |
| 出版者（英） |
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出版者 |
The Electrochemical Society |
| 書誌情報 |
en : Journal of the Electrochemical Society
巻 158,
号 5,
p. R27-R36,
発行日 2011-03-25
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| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0013-4651 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA00697016 |
| DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1149/1.3555103 |
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関連名称 |
info:doi/10.1149/1.3555103 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: SA1002742000 |
