| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Numerical Analysis of Crystal Growth of an InAs-GaAs Binary Semiconductor by the Travelling Liquidus Zone Method Under Microgravity Conditions |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
metadata only access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb |
| 著者 |
杉木, 喜洋
前川, 透
松本, 聡
足立, 聡
依田, 眞一
木下, 恭一
Sugiki, Yoshihiro
Maekawa, Toru
Matsumoto, Satoshi
Adachi, Satoshi
Yoda, Shinichi
Kinoshita, Kyoichi
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東洋大学 |
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東洋大学 |
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宇宙開発事業団 |
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宇宙開発事業団 |
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宇宙開発事業団 |
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宇宙開発事業団 |
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Toyo University |
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Toyo University |
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National Space Development Agency of Japan |
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National Space Development Agency of Japan |
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National Space Development Agency of Japan |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 出版者（英） |
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出版者 |
Elsevier |
| 書誌情報 |
en : International Journal of Heat and Mass Transfer
巻 47,
号 21,
p. 4535-4546,
発行日 2004-10
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| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0017-9310 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA00680396 |
| DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2003.05.002 |
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関連名称 |
info:doi/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2003.05.002 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: SA1003603000 |
