| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Comparison of Silicon-on-Insulator Wafer Mappings between Photoluminescence Intensity and Microwave Photoconductivity Decay Lifetime |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
metadata only access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb |
| 著者 |
田島, 道夫
Li, Zhiqiang
住江, 伸吾
橋爪, 英久
小椋, 厚志
Tajima, Michio
Li, Zhiqiang
Sumie, Shingo
Hashizume, Hidehisa
Ogura, Atsushi
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| 著者所属 |
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宇宙科学研究所 (ISAS) |
| 著者所属 |
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宇宙科学研究所 (ISAS) |
| 著者所属 |
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コベルコ科研 |
| 著者所属 |
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コベルコ科研 |
| 著者所属 |
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NECシリコンシステム研究所 |
| 著者所属（英） |
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en |
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Institute of Space and Astronautical Science (ISAS) |
| 著者所属（英） |
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en |
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Institute of Space and Astronautical Science (ISAS) |
| 著者所属（英） |
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en |
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Kobelco Research Institute |
| 著者所属（英） |
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en |
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Kobelco Research Institute |
| 著者所属（英） |
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en |
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Silicon System Research Labs., NEC Corp. |
| 出版者（英） |
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出版者 |
Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics |
| 書誌情報 |
en : Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers & Short Notes.
巻 43,
号 2,
p. 432-438,
発行日 2004-02
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| 内容記述（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Accepted: 2003-10-21 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0021-4922 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA10457675 |
| DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1143/jjap.43.432 |
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関連名称 |
info:doi/10.1143/jjap.43.432 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: SA1003805000 |
