| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2018-07-30 |
| タイトル |
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タイトル |
Orientation-dependent dissolution and growth kinetics of InxGa1-xSb by vertical gradient freezing method under microgravity |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
A1. Directional solidification |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
A2. Growth from melt |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
A2. Microgravity conditions |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
B2. Semiconducting III-V materials |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
metadata only access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb |
| 著者 |
Kumar, V. Nirmal
早川, 泰弘
Arivanandhan, M.
Rajesh, G.
小山, 忠信
百瀬, 与志美
小澤, 哲夫
岡野, 泰則
稲富, 裕光
Kumar, V. Nirmal
Hayakawa, Yasuhiro
Arivanandhan, M.
Rajesh, G.
Koyama, Tadanobu
Momose, Yoshimi
Ozawa, Tetsuo
Okano, Yasunori
Inatomi, Yuko
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| 著者所属 |
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宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS) |
| 著者所属 |
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静岡大学 電子工学研究所 |
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Centre for Nanoscience and Technology, Anna University |
| 著者所属 |
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Tagore Institute of Engineering and Technology |
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静岡大学 電子工学研究所 |
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静岡大学 電子工学研究所 |
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静岡理工科大学 |
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宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS) : 静岡大学 電子工学研究所 : 大阪大学 |
| 著者所属 |
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宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS) : 静岡大学 電子工学研究所 |
| 著者所属（英） |
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en |
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Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency(JAXA)(ISAS) |
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en |
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Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 著者所属（英） |
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en |
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Centre for Nanoscience and Technology, Anna University |
| 著者所属（英） |
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en |
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Tagore Institute of Engineering and Technology |
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en |
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Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 著者所属（英） |
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en |
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Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 著者所属（英） |
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en |
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Department of Electrical Engineering, Shizuoka Institute of Science and Technology |
| 著者所属（英） |
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en |
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Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency(JAXA)(ISAS) : Research Institute of Electronics, Shizuoka University : Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 著者所属（英） |
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en |
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Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency(JAXA)(ISAS) : Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 出版者（英） |
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出版者 |
Elsevier |
| 書誌情報 |
en : Journal of Crystal Growth
巻 496,
p. 15-17,
発行日 2018
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| 内容記述（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Accepted: 2018-04-27 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0022-0248 |
| ISSNONLINE |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1873-5002 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA00696341 |
| DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.04.033 |
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関連名称 |
info:doi/10.1016/j.jcrysgro.2018.04.033 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: SA1180029000 |
